ICS71.040.40 G 04 GB 中华人民共和国国家标准 GB/T32495—2016/ISO12406:2010 表面化学分析二次离子质谱硅中砷的深度部析方法 Surface chemical analysis-Secondary-ion mass spectrometry- Method for depth profiling of arsenic in silicon (ISO12406:2010,IDT) 2016-02-24发布 2017-01-01实施中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局发布中国国家标准化管理委员会 GB/T32495—2016/ISO12406:2010 目次前言引言范围 2 规范性引用文件 3 术语和定义符号和缩略语原理 6 参考物质 6.1 用于校准相对灵敏度因子的参考物质 6.2 用于校准深度的参考物质 7 仪器 7.1 二次离子质谱仪 7.2 触针式轮廓仪 7.3 光学干涉仪 8 样品 9 步骤 9.1 二次离子质谱仪的调整 9.2 优化二次离子质谱仪的设定 9.3 进样 9.4 被测离子 9.5 样品检测 9.6 校准 10 结果表述· 11 测试报告. 附录A（资料性附录）硅中砷深度剖析巡回测试报告附录B（资料性附录） NISTSRM2134深度剖析步骤参考文献

GB-T 32495-2016 表面化学分析二次离子质谱硅中砷的深度剖析方法

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GB-T 32495-2016 表面化学分析 二次离子质谱 硅中砷的深度剖析方法

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