ICS 31.080.99 GB CCS L 59 中华人民共和国国家标准 GB/T 44517—2024/IEC 62047-16:2015 微机电系统（MEMS)技术 MEMS 膜残余应力的晶圆曲率和悬臂梁挠度试验方法 Micro-electromechanical systems (MEMS) technology—Wafer curvature and cantilever beam deflection test methods for determining residual stresses of MEMS films (IEC 62047-16 :2015, Semiconductor devices—Micro-electromechanical devices- Part 16 : Test methods for determining residual stresses of MEMS films- Wafer curvature and cantilever beam deflection methods, IDT) 2024-09-29 发布 2025-04-01实施国家市场监督管理总局发布国家标准化管理委员会 GB/T 44517—2024/IEC 62047-16:2015 目次前言 II 范围 1 规范性引用文件 2 3 术语和定义试验方法 4 概述 4.1 晶圆曲率法 4.2 4.3 悬臂梁挠度法参考文献·

GB-T 44517-2024 微机电系统（MEMS）技术 MEMS膜残余应力的晶圆曲率和悬臂梁挠度试验方法

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