书 书 书犐犆犛 ３１ ． ２００ 犔 ５５ /G21 /G22 /G23 /G24 /G25 /G26 /G27 /G27 /G28 /G29 /G2A 犌犅 ／ 犜 ３８４４６ — ２０２０ /G21 /G22 /G23 /G24 /G25 （ 犕犈犕犛 ） /G26 /G27 /G28 /G29 /G2A /G2B /G2C /G2D /G2E /G2F /G30 /G31 /G32 /G33 /G34 犕犻犮狉狅犲犾犲犮狋狉狅犿犲犮犺犪狀犻犮犪犾狊狔狊狋犲犿狋犲犮犺狀狅犾狅犵狔 — 犜犲狊狋犿犲狋犺狅犱狊犳狅狉狋犲狀狊犻犾犲狆狉狅狆犲狉狋狔犿犲犪狊狌狉犲犿犲狀狋狅犳狊狋狉犻狆狋犺犻狀犳犻犾犿狊 ２０２０  ０３  ０６ /G35 /G36 ２０２０  １０  ０１ /G37 /G38 /G27 /G28 /G2B /G2C /G2D /G2E /G2F /G30 /G31 /G32 /G27 /G28 /G29 /G2A /G33 /G2F /G30 /G34 /G35 /G36 /G35 /G36 目 　　 次 前言 Ⅰ ………………………………………………………………………………………………………… １ 　 范围 １ ……………………………………………………………………………………………………… ２ 　 规范性引用文件 １ ………………………………………………………………………………………… ３ 　 术语和定义 １ ……………………………………………………………………………………………… ４ 　 试验方法 ２ ………………………………………………………………………………………………… ５ 　 数据处理 ４ ………………………………………………………………………………………………… 附录 Ａ （ 资料性附录 ） 　 采用 ＭＥＭＳ 工艺的样品制备 ５ …………………………………………………… 附录 Ｂ （ 资料性附录 ） 　 对准偏差和几何结构对性能测试的影响 ７ ……………………………………… 附录 Ｃ （ 资料性附录 ） 　 纳米压痕仪的测试结果误差及补偿 ９ …………………………………………… 参考文献 １０ …………………………………………………………………………………………………… 犌犅 ／ 犜 ３８４４６ — ２０２０ 前 　　 言 　　 本标准按照 ＧＢ ／ Ｔ１．１ — ２００９ 给出的规则起草 。 本标准由全国微机电技术标准化技术委员会 （ ＳＡＣ ／ ＴＣ３３６ ） 提出并归口 。 本标准起草单位 ： 北京大学 、 中机生产力促进中心 、 北京智芯传感科技有限公司 、 无锡华润上华科技有限公司 、 中北大学 、 北京必创科技股份有限公司 。 本标准主要起草人 ： 张威 、 李海斌 、 张亚婷 、 朱悦 、 夏长奉 、 石云波 、 陈得民 、 马书 鯼 、 程红兵 、 周浩楠 。 Ⅰ 犌犅 ／ 犜 ３８４４６ — ２０２０ 微机电系统 （ 犕犈犕犛 ） 技术带状薄膜抗拉性能的试验方法 １ 　 范围 本标准规定了带状薄膜抗拉性能的试验方法及数据处理 。 本标准适用于厚度在 ５０ｎｍ 到数微米之间且长度和厚度的比值大于 ３００ 的样品 ， 也可用于 ＭＥＭＳ 产品带状薄膜结构的质量监控 。 ２ 　 规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的 。 凡是注日期的引用文件 ， 仅注日期的版本适用于本文 件 。 凡是不注日期的引用文件 ， 其最新版本 （ 包括所有的修改单 ） 适用于本文件 。 ＧＢ ／ Ｔ２６１１１ 　 微机电系统 （ ＭＥＭＳ ） 技术 　 术语 ３ 　 术语和定义 ＧＢ ／ Ｔ２６１１１ 界定的以及下列术语和定义适用于本文件 。 ３ ． １ 弹性模量 　 犿狅犱狌犾狌狊狅犳犲犾犪狊狋犻犮犻狋狔 犈 材料在弹性变形阶段时 ， 应力与应变的比值 。 注 ： 改写 ＧＢ ／ Ｔ３１０２．３ — １９９３ ， 定义 ３．１８．１ 。 ３ ． ２ 屈服强度 　 狔犻犲犾犱狊狋狉犲狀犵狋犺 犚犲 当材料呈现屈服现象时 ， 在试验期间达到塑性变形发生而力不增加的应力点 。 注 １ ： 改写 ＧＢ ／ Ｔ２２８．１ — ２０１０ ， 定义 ３．１０．２ 。 注 ２ ： 对于屈服现象明显的材料 ， 屈服强度就是材料发生屈服现象时屈服极限的应力 ； 对于屈服现象不明显的材料 ， 屈服强度为应变达到残余应变 ０．２％ 时的应力 。 ３ ． ３ 抗拉强度 　 狋犲狀狊犻犾犲狊狋狉犲狀犵狋犺 犚犿 材料拉断过程中对应的最大应力 。 注 ： 改写 ＧＢ ／ Ｔ２２８．１ — ２０１０ ， 定义 ３．１０．１ 。 ３ ． ４ 挠度 　 犱犲犳犾犲犮狋犻狅狀 狑 样品结构轴线在垂直于轴线方向的线位移或中面在垂直于中面方向的线位移 。 １ 犌犅 ／ 犜 ３８４４６ — ２０２０