GB-T 6617-2009 硅片电阻率测定 扩展电阻探针法

书书书犐犆犛２９．０４５犎８０中华人民共和国国家标准犌犅／犜６６１７ — ２００９代替ＧＢ／Ｔ６６１７ — １９９５硅片电阻率测定　扩展电阻探针法犜犲狊狋犿犲狋犺狅犱犳狅狉犿犲犪狊狌狉犻狀犵狉犲狊犻狊狋犻狏犻狋狔狅犳狊犻犾犻犮狅狀狑犪犳犲狉狌狊犻狀犵狊狆狉犲犪犱犻狀犵狉犲狊犻狊狋犪狀犮犲狆狉狅犫犲２００９  １０  ３０发布２０１０  ０６  ０１实施中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局中国国家标准化管理委员会发布书书书前　　言　　本标准代替ＧＢ／Ｔ６６１７ — １９９５《硅片电阻率测定　扩展电阻探针法》。本标准与ＧＢ／Ｔ６６１７ — １９９５相比，主要有如下变化： ——— 引用标准中删去硅外延层和扩散层厚度测定磨角染色法； ——— 方法原理中删去单探针和三探针的原理图并增加了扩展电阻原理公式（１）及其三个假定条件； ——— 增加了干扰因素； ——— 测量仪器和环境增加了自动测量仪器的范围和精度； ——— 对原测量程序进行全面修改； ——— 删去测量结果计算。本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出。本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。本标准起草单位：南京国盛电子有限公司、宁波立立电子股份有限公司。本标准主要起草人：马林宝、骆红、刘培东、谭卫东、吕立平等。本标准代替标准的历次版本发布情况为： ——— ＧＢ６６１７ — １９８６、ＧＢ／Ｔ６６１７ — １９９５。 Ⅰ 犌犅／犜６６１７ — ２００９

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