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ICS 29.045 H80 GB 中华人民共和国国家标准 GB/T30453—2013 硅材料原生缺陷图谱 Metallographs collection for original defects of crystalline silicon 2013-12-31发布 2014-10-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发布 中国国家标准化管理委员会 GB/T30453—2013 目 次 前言 II 范围 规范性引用文件 2 3 术语和定义 硅多晶结构的不完整性 4 5 硅单晶晶体缺陷 6硅片加工缺陷 硅外延片缺陷 附录A（资料性附录） 氢致缺陷图 76 索引 79 GB/T30453—2013 前言 本标准按照GB/T1.1—2009制定的规则起草。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会（SAC/TC203/SC2)提出并归口。 本标准起草单位：有研半导体材料股份有限公司、东方电气集团峨眉半导体材料有限公司、南京国 盛电子有限公司、杭州海纳半导体有限公司、万向硅峰电子股份有限公司、四川新光硅业科技有限责任 公司、陕西天宏硅材料有限责任公司、中国有色金属工业标准计量质量研究所。 本标准主要起草人：孙燕、曹孜、翟富义、杨旭、谭卫东、黄笑容、楼春兰、王飞尧、石宇、刘云雷、陈赫、 梁洪、罗莉萍、李咏梅、齐步坤、李慧、向磊。

pdf文档 GB-T 30453-2013 硅材料原生缺陷图谱

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